EPROM

Daripada Wikipedia, ensiklopedia bebas.
Lompat ke: pandu arah, cari
EPROM. Tingkap kuartz membenarkan cahaya lampau ungu untuk memadamkan data.

EPROM (jarang dirujuk sebagai EROM), atau Ingatan Baca Sahaja Boleh Atur Cara-Padam (EPROM) erasable programmable ("read only memory"), merupakan jenis ingatan litar bersepadu yang mengekalkan datanya apabila bekalan kuasanya ditutup. Dalam erti kata lain, ia tidak mudah meruap. Ia merupakan jujukan transistor pintu-terapung ("floating-gate") diprogram setiap satu oleh peranti eletronik yang membekalkan voltan lebih tinggi berbanding yang biasa digunakan pada litar digital. Apabila diprogram, EPROM boleh dipadamkan dengan mendedahkannya kepada lampau ungu yang kuat dari sumber cahaya wap-raksa. EPROM mudah dikenali melalui tingkap kuartz lekat lutsinar pada bahagian atas paket, melaluinya cip silikon dapat dilihat, dan membenarkan cahaya lembayung ungu semasa pemadaman.

Operasi[sunting | sunting sumber]

Pembangunan sel ingatan EPROM bermula dengan penyiasatan kerosakan litar bersepadu di mana sambungan pintu transistor rosak. Caj tersimpan pada pintu terasing ini bertukar ciri-cirinya. EPROM dicipta oleh Dov Frohman dari Intel pada tahun 1971, yang diberikan paten Amerika Syarikat 3660819[1] in 1972.

A cross-section of a floating-gate transistor

Setiap lokasi penyimpanan EPROM terdiri daripada satu transistor kesan medan. Setiap transistor kesan medan terdiri daripada saluran dalam peranti semikonduktor. Sumber dan penyalur hubungan dilakukan pada penghujung saluran. Lapisan penebat oksida dibentuk di atas saluran, kemudian elektrod pintu pengalir (silikon atau aluminium) diletakkan, dan lapisan oksida yang labih tebal diletakkan pada pintu elektrod. Elektrod pintu terapung tidak memiliki sambungan kepada bahagian-bahagian lain litar bersepadu dan terlindung sepenuhnya oleh lapisan oksida disekelilingnya. Elektrod pintu kawalan diletakkan dan oksida tambahan menyelitupinya. [2]

Bagi mencapai data dari EPROM, alamat mewakili nilai pada pin alamat bagi EPROM dinyahkod dan digunakan bagi menyambung satu perkataan (biasanya 8-bit byte) simpanan pada penguat penimbal keluaran. Setiap bit perkataan adalah 1 atau 0, bergantung kepada simpanan transistor dihidupkan atau dimatikan, pengalir atau bukan pengalir.

Keadaan suis transistor kesan medan dikawal oleh voltan pada pintu kawalan transistor. Kehadiran voltan pada pintu ini mencipta laluan konduktif pada transistor, menghidupkannya. Malah, caj tersimpan pada pinu terapung membenarkan voltan ambang pada transistor diprogramkan.

Menyimpan data pada ingatan memerlukan memilih alamat yang diberi dan memberikan vltan lebih tinggi kepda transistor. Ini mencipta limpahan nyahcaj elektron, yang memiliki cukup tenaga bagi melepasi lapisan oksida penebat dan berkumpul pada elektrod pintu. Apabila voltan tinggi dialih, elektron terperangkap pada elektrod. [3] Disebabkan nilai penebatan tinggi pada oksida silikon mengelilingi pintu, caj tersimpan tidak mudah bocor keluar dan data boleh disimpan selama berkurun.


Kebanyakan EPROMS boleh dikenal pasti oleh aturcara melalui "mod tanda tangan" dengan memaksa 12V pada pin A9 dan membaca dua byte data. Bagaimanapun, oleh kera ini bukan sejagat, perisian aturcara juga patut membenarkan penetapan secara insani oleh pengilang dan jenis peranti bagi cip untuk memastikan perisian yang tepat.[4]

Jenis EPROM Tahun Saiz — bit Saiz — byte Panjang (hex) Alamat terakhir (hex)
1702, 1702A 1971 2 Kbit 256 100 FF
2704 1975 4 Kbit 512 200 1FF
2708 1975 8 Kbit 1 KB 400 3FF
2716, 27C16, TMS2716, 2516 1977 16 Kbit 2 KB 800 7FF
2732, 27C32, 2532 1979 32 Kbit 4 KB 1000 FFF
2764, 27C64, 2564 64 Kbit 8 KB 2000 1FFF
27128, 27C128 128 Kbit 16 KB 4000 3FFF
27256, 27C256 256 Kbit 32 KB 8000 7FFF
27512, 27C512 512 Kbit 64 KB 10000 FFFF
27C010, 27C100 1 Mbit 128 KB 20000 1FFFF
27C020 2 Mbit 256 KB 40000 3FFFF
27C040, 27C400 4 Mbit 512 KB 80000 7FFFF
27C080 8 Mbit 1 MB 100000 FFFFF
27C160 16 Mbit 2 MB 200000 1FFFFF
27C320 32 Mbit 4 MB 400000 3FFFFF

[5]

Galeri[sunting | sunting sumber]

Rujukan[sunting | sunting sumber]

  1. EPROM patent
  2. Chih-Tang Sah , Fundamentals of solid-state electronics World Scientific, 1991 ISBN 9810206372, page 639
  3. Vojin G. Oklobdzija, Digital Design and Fabrication, CRC Press, 2008 ISBN 0849386020, page 5-14 through 5-17
  4. U.S. International Trade Commission, ed (October 1998). Certain EPROM, EEPROM, Flash Memory and Flash Microcontroller Semiconductor Devices and Products Containing Same, Inv. 337-TA-395. Diane Publishing. m/s. 51–72. ISBN 1428957219. http://books.google.com/books?id=fkd0fwh9N2UC&pg=PA51.  The details of SEEQ's Silicon Signature method of a device programmer reading an EPROM's ID.
  5. NOTE: 1702 EPROMs were PMOS, 27x series EPROMs containing a C in the name are CMOS based, without the C are NMOS

Pautan luar[sunting | sunting sumber]