Aluminium antimonida
| Pengecam | |
|---|---|
Imej model 3D Jmol |
|
| ChemSpider | |
| ECHA InfoCard | 100.042.410 |
| Nombor EC |
|
PubChem CID |
|
CompTox Dashboard (EPA) |
|
| |
| |
| Sifat | |
| AlSb | |
| Jisim molar | 148.742 g/mol |
| Rupa bentuk | hablur hitam |
| Ketumpatan | 4.26 g/cm3 |
| Takat lebur | 1,060 °C (1,940 °F; 1,330 K) |
| Takat didih | 2,467 °C (4,473 °F; 2,740 K) |
| tidak larut | |
| Luang jalur | 1.58 eV |
Indeks biasan (nD) |
3.3 |
| Struktur | |
| Struktur kristal | Zink blend |
| Kumpulan ruang | T2d-F-43m |
| Geometri koordinasi |
Tetrahedral |
| Termokimia | |
| Entropi molar piawai S |
65 J/mol K |
Entalpi pembentukan piawai (ΔfH⦵298) |
-50.4 kJ/mol |
| Bahaya | |
| NFPA 704 (berlian api) | |
Kecuali jika dinyatakan sebaliknya, data diberikan untuk bahan-bahan dalam keadaan piawainya (pada 25 °C [77 °F], 100 kPa). | |
| | |
| Rujukan kotak info | |
Aluminium antimonida (AlSb) ialah satu semikonduktor daripada keluarga kelompok III-V yang mengandungi aluminium dan antimoni. Pemalar kekisinya ialah 0.61 nm. Luang jalur tidak langsung ialah hampir-hampir 1.6 eV pada 300 K, sementara luang jalur langsung ialah 2.22 eV.
Mobiliti elektronnya ialah 200 cm²·V−1·s−1 dan mobiliti lubang 400 cm²·V−1·s−1 pada 300 K. Indeks biasannya ialah 3.3 pada panjang gelombang 2 µm, dan pemalar dielektriknya ialah 10.9 pada frekuensi mikrogelombang.[1]
AlSb boleh dialoikan dengan bahan III-V lain untuk menghasilkan bahan pertigaan berikut: AlInSb, AlGaSb dan AlAsSb.
Aluminium antimonida adalah agak mudah bakar kerana kecenderungan berkurang bagi ion antimonida (Sb3-). Bahan ini membakar untuk menhasilkan aluminium oksida dan antimoni trioksida.
Lihat juga
[sunting | sunting sumber]Rujukan
[sunting | sunting sumber]- ↑ K Seeger dan E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 doi:10.1088/0268-1242/6/4/013

