Aluminium antimonida

Daripada Wikipedia, ensiklopedia bebas.
Lompat ke: pandu arah, cari

Templat:Chembox EC-number

Aluminium antimonida
Aluminium-antimonide-unit-cell.png
Pengenalpasti
25152-52-7 Yes check.svgY
ChemSpider 82452 Yes check.svgY
Imej Jmol-3D Imej
PubChem 91307
Sifat
AlSb
Jisim molar 148.742 g/mol
Rupa bentuk hablur hitam
Ketumpatan 4.26 g/cm3
Takat lebur 1,060 °C (1,940 °F; 1,330 K)
Takat didih 2,467 °C (4,473 °F; 2,740 K)
tidak larut
Luang jalur 1.58 eV
3.3
Struktur
Struktur kristal Zink blend
Kumpulan ruang T2d-F-43m
Geometri
koordinasi
Tetrahedral
Termokimia
Entropi molar
piawai
So298
65 J/mol K
Entalpi piawai
pembentukan
ΔfHo298
-50.4 kJ/mol
Bahaya
MSDS MSDS
NFPA 704 Templat:NFPA 704 diamond
317 °C (603 °F; 590 K)
Kecuali jika dinyatakan sebaliknya, data diberikan untuk bahan-bahan dalam keadaan piawainya (pada 25 °C [77 °F], 100 kPa).
 Yes check.svgY pengesahan (apa yang perluYes check.svgY/X mark.svgN?)
Rujukan kotak info

Aluminium antimonida (AlSb) ialah satu semikonduktor daripada keluarga kelompok III-V yang mengandungi aluminium dan antimoni. Pemalar kekisinya ialah 0.61 nm. Luang jalur tidak langsung ialah hampir-hampir 1.6 eV pada 300 K, sementara luang jalur langsung ialah 2.22 eV.

Mobiliti elektronnya ialah 200 cm²·V−1·s−1 dan mobiliti lubang 400 cm²·V−1·s−1 pada 300 K. Indeks biasannya ialah 3.3 pada panjang gelombang 2 µm, dan pemalar dielektriknya ialah 10.9 pada frekuensi mikrogelombang.[1]

AlSb boleh dialoikan dengan bahan III-V lain untuk menghasilkan bahan pertigaan berikut: AlInSb, AlGaSb dan AlAsSb.

Aluminium antimonida adalah agak mudah bakar kerana kecenderungan berkurang bagi ion antimonida (Sb3-). Bahan ini membakar untuk menhasilkan aluminium oksida dan antimoni trioksida.

Lihat juga[sunting | sunting sumber]

Rujukan[sunting | sunting sumber]

  1. K Seeger dan E Schonherr "Microwave dielectric constant of aluminium antimonide" Semicond. Sci. Technol. 6 (1991) 301 doi:10.1088/0268-1242/6/4/013

Templat:Sebatian aluminium