Leo Esaki

Daripada Wikipedia, ensiklopedia bebas.
Jump to navigation Jump to search

Reona Esaki (江 崎 玲 於 奈Esaki Reona, lahir 12 Mac 1925), juga dikenali sebagai Leo Esaki, ialah seorang ahli fizik Jepun yang berkongsi Hadiah Nobel dalam Fizik pada tahun 1973 dengan Ivar Giaever dan Brian David Josephson untuk kerja-kerja dalam terowong elektron dalam bahan semikonduktor yang akhirnya membawa kepada penciptaannya diod Esaki, yang mengeksploitasi fenomena itu. Penyelidikan ini dilakukan ketika beliau bersama Tokyo Tsushin Kogyo (sekarang dikenali sebagai Sony). Beliau juga menyumbang untuk menjadi perintis superlatteks semikonduktor.[1][2][3]

Rujukan[sunting | sunting sumber]

  1. ^ Esaki, L.; Tsu, R. (1970). "Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors". IBM Journal of Research and Development. 14: 61. doi:10.1147/rd.141.0061. 
  2. ^ Carl Nordling (1995). "How to get the Nobel Prize in Physics, Physica Scripta. Vol. T59, 21-25, 1995" (PDF). 
  3. ^ Carl Nordling (1995). "How to get the Nobel Prize in Physics, Physica Scripta. Vol. T59, 21-25, 1995" (PDF). 

Bacaan lanjut[sunting | sunting sumber]

  • Large scale integrated circuits technology: state of the art and prospects, proceedings of the NATO Advanced Study Institute on "Large Scale Integrated Circuits Technology: State of the Art and Prospects," Erice, Italy, July 15–27, 1981 / edited by Leo Esaki and Giovanni Soncini (1982)
  • Highlights in condensed matter physics and future prospects / edited by Leo Esaki (1991)

Pautan luar[sunting | sunting sumber]